GT Advanced Technologies Inc.(納斯達克代碼：GTAT)今日宣布，公司專有的新一代HiCz連續(xù)加料直拉技術(shù)贏得了一個新項目，可望促進太陽能產(chǎn)業(yè)向更高效率及更低成本的太陽能材料過渡。 公司與Qatar Solar Energy(QSE)達成協(xié)議，向QSE于卡塔爾在多哈的集成光伏制造項目提供HiCz(TM)200熔爐。 QSE在最近的一份新聞稿中表示，QSE已實現(xiàn)了300 MW產(chǎn)能的綜合設施，并將進一步擴大至2.5 GW。 該供應協(xié)議須待QSE通過政府批準及融資成功后方可作實，屆時GT將獲得來自QSE的設備訂單。

“我們很高興GT能被選擇為QSE提供HiCz(TM)200單晶熔爐，”GT太陽能業(yè)務部行政副總裁Dave Keck表示。 “我們領(lǐng)先的HiCz技術(shù)被中東及北非地區(qū)首個垂直一體化光伏制造廠所采用，對GT來說這是一個令人興奮的機會。 GT的 HiCz 200熔爐可望生產(chǎn)效率超過22%的優(yōu)質(zhì)n型太陽能電池片。”

HiCz是GT專有的新一代光伏行業(yè)的單晶直拉爐，可生產(chǎn)p型及n型單晶晶棒。 HiCz連續(xù)加料長晶工藝比傳統(tǒng)的間歇式Cz熔爐更具明顯優(yōu)勢，使得其更適合n型硅錠生產(chǎn)。HiCz長晶工藝生產(chǎn)更長的晶棒、材料均勻性更高、電阻率更低。該工藝流程通過增加產(chǎn)量降低晶片的成本，提高了材料品質(zhì)，并有助于提高太陽能電池片的效率。